Doc. RNDr. Jiří Toušek, CSc.

Oddělení: Oddělení fyziky vrstev a povrchů
Telefon:+420 95155 2263, +420 95155 2267
E-mail:jiri.tousek@mff.cuni.cz
Homepage:http://www.mff.cuni.cz/fakulta/struktura/lide/1072.htm
Místnost:A 425

Vzdělání
1961 - Fyzika pevných látek, MFF UK, Praha
1973 - vysokoškolský titul RNDr. a titul kandidáta matematicko-fyzikálních věd (CSc).
1992 - docent oboru Fyzika kondenzovaných látek a akustika



Odborné vědecké zaměření
Transportní vlastnosti anorganických a organických polovodičů,
Fotovoltaika
Sluneční články na bázi organických polovodičů


 
Výuka
http://is.cuni.cz/studium/predmety/index.php?do=ucit&kod=12674&fak=11320



Zájmy
Sokol, zahrada, turistika, četba



Seznam vybraných publikací

Uvedené publikace z posledních let se týkají především nových přístupů k fotovoltaickému jevu a jejich aplikací na konkrétní problémy v organických a anorganických polovodičích.

J. Toušek, J. Toušková, Z. Remeš, J. Kousal, S.A.Gevorgyan,  F.C.Krebs:
Exciton diffusion length in some thermocleavable polythiophenes by the surface photovoltage method
Synthetic Metals (2011), doi:10.1016/j.synthmet.2011.10.008

Jiří Toušek, Jana Toušková Martin Drábik,  Zdeněk Remeš, Jan Hanuš, Věra  Cimrová,  Danka Slavinská,  Hynek  Biederman,   Adam  Zachary,  LukeHanley:
Exciton diffusion length in titanyl phthalocyanine thin films as determined by the surface photovoltage method
Exciton Quasiparticles: Theory, Dynamics and Applications
Editor Randy M. Bergin , Nova Science Publishers, Inc. (2011)
Book, Chapter 7, p.275-290.

J. Toušek, J. Toušková, I. Křivka, P. Pavlačková, D. Výprachtický, V. Cimrová : Surface photovoltage method for evaluation of exciton diffusion length in fluorene-thiophene based copolymers ,  Organic Electronics,.11, 1 (2010) 50-56.

J. Toušek:
Metoda pro určování difúzní délky minoritních nosičů proudu v křemíkových destičkách měřením povrchového fotonapětí
Česká technická norma ČSN 36 4639
(Measurement of diffusion length of minority carriers in silicon wafers by the surface photovoltage Metod  Czech Standard ČSN 36 4639)

J. Toušek, J. Toušková, I. Křivka: Contribution of surface photovoltage method to diagnostic of materials for solar cells, Solar Cell Research Progress,, ISBN 978-1-604456-030-5,
Editor: J.A.Carson, Nova Science Publishers, Inc. (2008)
Book Chapter 5, p.231-257.

J. Toušek, J. Toušková, E. Belas, L. Votoček:  Surface photovoltaic effect in CdTe as influenced by recombination in the space-charge region, physica status solidi (a), 204, 2381-2388, (2007).  

Toušek, J., Toušková, J. , Poruba A., Hlídek, P., Lorenčík, J., Effect of silicon nitride layers on the minority carrier diffusion length in c-Si wafers, Journal of Applied physics, 100, 113716- (2006).

J. Toušek, J.Toušková, A. Poruba: Monitoring of silicon solar cell technology via the surface photovoltage method, Solar Energy Materials and Solar Cells, 88 (3): 331-337 (2005).

Toušková J., Kindl D, Toušek, J.:
Preparation and characterization of CdS/CdTe thin film solar cells
Thin Solid Films, 293, č. 1, (1997), s. 272-276.

Toušková J., Kindl D., Toušek J.:
Photovoltaic cells on CdS/CdTe heterojunctions,  physica status solidi, (1994), 142, 539-549.